Zobrazeno 1 - 10 of 3 395 pro vyhledávání: '"Ferroelectric RAM"'
1
Akademický článek
Conditions of steady switching in phase-transition memory cells.
Autor: Popov, A.1 popovai2009@gmail.com, Salnikov, S., Anufriev, Yu.
Publikováno v: Semiconductors. Apr2015, Vol. 49 Issue 4, p498-503. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Design technology of stacked NAND-type FeRAM with two-transistor-type memory cell.
Autor: Sugano, Koichi1, Watanabe, Shigeyoshi2
Publikováno v: Electronics & Communications in Japan. Apr2013, Vol. 96 Issue 4, p41-52. 12p. 12 Diagrams.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
A Class of FIFO Queues Arising in Computer Systems.
Autor: Coffman Jr., Edward O.1, Hofri, Micha2
Publikováno v: Operations Research. Sep/Oct78, Vol. 26 Issue 5, p864. 17p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
High Mobility Flexible Ferroelectric Organic Transistor Nonvolatile Memory With an Ultrathin AlOX Interfacial Layer.
Autor: Meili Xu1, Shuxu Guo1, Lanyi Xiang1, Ting Xu1, Wenfa Xie1, Wei Wang1
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices. Mar2018, Vol. 65 Issue 3, p1113-1118. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Method Using Optical Polarization for Achieving Low-Voltage-Driven Ferroelectric Memory Devices.
Autor: Ginya, Makoto1 (AUTHOR) C501342007@tokushima-u.ac.jp, Mizutani, Yasuhiro2 (AUTHOR), Iwata, Tetsuo2 (AUTHOR), Otani, Yukitoshi3 (AUTHOR)
Publikováno v: International Journal of Optomechatronics. Oct2013, Vol. 7 Issue 4, p253-262. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Nonvolatile multilevel data storage memory device from controlled ambipolar charge trapping mechanism.
Autor: Ye Zhou1, Su-Ting Han1, Sonar, Prashant2, Roy, V. A. L.1 val.roy@cityu.edu.hk
Publikováno v: Scientific Reports. 8/2/2013, p1-7. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Resistive switching mechanisms relating to oxygen vacancies migration in both interfaces in Ti/HfOx/Pt memory devices.
Autor: Lin, Y. S.1, Zeng, F.1, Tang, S. G.1, Liu, H. Y.1, Chen, C.1, Gao, S.1, Wang, Y. G.1, Pan, F.1
Publikováno v: Journal of Applied Physics. Feb2013, Vol. 113 Issue 6, p064510. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Fabrication and Study of Memory Cell Switching Properties Based on Cu2S Compound.
Autor: Khaleel Mohammad, Khalid1, Hassan Taha, Faris1
Publikováno v: Al-Rafadain Engineering Journal. 2012, Vol. 20 Issue 6, p23-28. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Ferroelectric Columnar Liquid Crystal Featuring Confined Polar Groups Within Core-Shell Architecture.
Autor: Miyajima, Daigo1, Araoka, Fumito2, Takezoe, Hideo2 takezoe.h.aa@m.titech.ac.jp, Jungeun Kim3, Kato, Kenichi4, Takata, Masaki3,4, Aida, Takuzo1 aida@macro.t.u-tokyo.ac.jp
Publikováno v: Science. 4/13/2012, Vol. 336 Issue 6078, p209-213. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Optimization of resistive switching performance of metal-manganite oxide interfaces by a multipulse protocol.
Autor: Ghenzi, N.1, Sánchez, M. J.2, Rozenberg, M. J.3,4, Stoliar, P.1,5, Marlasca, F. G.1, Rubi, D.1,5, Levy, P.1
Publikováno v: Journal of Applied Physics. Apr2012, Vol. 111 Issue 8, p084512. 5p. 4 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje