Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Ference Masszi"'
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 39:1087-1092
A multilevel recombination model is implemented in the simulation program MEDICI to simulate proton irradiated silicon. First the model is used to simulate charge carrier distributions in proton irradiated silicon p(+)n-diodes in order to evaluate de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8d0cbc374821a32bc94fe0ff42cce902
https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00417-3
https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00417-3
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
A new type of DMOS transistor aimed at high voltage power amplifications in the Giga-Hertz region is integrated into a standard CMOS process. By optimising the design for high voltage and high frequency, remarkable good electrical behaviour is obtain
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::78014ce2061bf08ebc65de624a607146
https://doi.org/10.1109/iedm.1995.499379
https://doi.org/10.1109/iedm.1995.499379
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.