Zobrazeno 1 - 10
of 123
pro vyhledávání: '"Ferain, E."'
Autor:
Ferain, E., Legras, R.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2009 267(6):1028-1031
Autor:
Hanot, H., Ferain, E.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2009 267(6):1019-1022
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2003 209:103-112
Autor:
Ferain, E., Legras, R.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2003 208:115-122
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ferain, E. *, Legras, R.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2001 174(1):116-122
Autor:
CARRETERO-GENEVRIER, Adrien, GICH, M., Bachelet, Romain, Saint-Girons, Guillaume, VILA-FUNGUEIRIñO, J., RIBAS-MURIAS, B., GAZQUEZ, J., Ferain, E., Puig, T., RIVADULLA, F., Rodríguez-Carvajal, J., Mestres, N.
Publikováno v:
MRS 2015
MRS 2015, 2015, San Francisco (USA), United States
MRS 2015, 2015, San Francisco (USA), United States
6-9 April 2015; International audience; In the past years, great efforts have been devoted to combine the functionality of oxides with the performances of semiconductor platforms for the development of novel and more efficient device applications. Ho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6a4b52a26288a4c60901c84d52bf3820
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01489571
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01489571
