Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Feng Daohuan"'
Publikováno v:
Nanotechnology Reviews, Vol 9, Iss 1, Pp 182-189 (2020)
With the development of integrated circuit technology, especially after entering the sub-micron process, the reduction of critical dimensions and the realization of high-density devices, the flatness between integrated circuit material layers is beco
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/acc897f4c96c47e580ffc13cfd8d9cb9
Autor:
Liu, Yuxiang, Liu, Weili, Feng, Daohuan, Wei, Zhen, Guo, Tianqi, Wang, Guangling, Song, Zhitang
Publikováno v:
In Journal of Molecular Structure 5 February 2019 1177:26-32
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology; January 2020, Vol. 9 Issue: 4 p044007-044007, 1p
Autor:
Feng, Daohuan, Liu, Weili, Liu, Yuxiang, Song, Zhitang, Wang, Weilei, Wei, Zhen, Zhao, Gaoyang
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology; January 2020, Vol. 9 Issue: 2 p024007-024007, 1p