Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"Feng, Xingyao"'
Autor:
Ma, Teng, Kimura, Yasuo, Yamamoto, Hideaki, Feng, Xingyao, Hirano-Iwata, Ayumi, Niwano, Michio
Gaseous nanobubbles (NBs), with their unique physicochemical properties and promising applications, have become an important research topic. Generation of monodispersed bulk NBs with specified gas content remains a challenge. We developed a simple me
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2003.02477
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ma, Teng, Sato, Madoka, Komiya, Maki, Kanomata, Kensaku, Watanabe, Takaya, Feng, Xingyao, Miyata, Ryusuke, Tadaki, Daisuke, Hirose, Fumihiko, Tozawa, Yuzuru, Hirano-Iwata, Ayumi
Publikováno v:
Faraday Discussions; 2022, Issue 233, p244-256, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 28:4702-4705
La x Al y O films were grown on p-Si substrates by atomic layer deposition technique with different La and Al precursor pulse ratios. Then atomic concentrations and band alignments of the films were determined from X-ray photoelectron spectroscopy me
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 28:803-807
Amorphous LaAlO3 films were grown on p-type Si substrate by atomic layer deposition using O3 and H2O as the oxygen source, respectively. Band alignments of LaAlO3 films were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy measurements using the photoemi
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 48:9-13
AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor structures using atomic layer deposited high-dielectric-constant (High-k) Al2O3/La2O3 bilayer films as dielectric have been investigated using high-frequency capacitance-voltage measurement. The sta