Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Feng, Kaiyin"'
Autor:
Shang, Chen, Feng, Kaiyin, Hughes, Eamonn T., Clark, Andrew, Debnath, Mukul, Koscica, Rosalyn, Leake, Gerald, Herman, Joshua, Harame, David, Ludewig, Peter, Wan, Yating, Bowers, John E.
Monolithic integration of quantum dot (QD) gain materials onto Si photonic platforms via direct epitaxial growth is a promising solution for on-chip light sources. Recent developments have demonstrated superior device reliability in blanket hetero-ep
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.01211
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Koscica, Rosalyn, Shang, Chen, Feng, Kaiyin, Hughes, Eamonn T., Li, Christy, Skipper, Alec, Bowers, John E.
Publikováno v:
Advanced Photonics Research; Mar2024, Vol. 5 Issue 3, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Feb2022, Vol. 219 Issue 4, p1-23, 23p
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Feb2024, Vol. 221 Issue 3, p1-1, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.