Zobrazeno 1 - 10
of 67
pro vyhledávání: '"Fellows, C. E"'
Autor:
Martins, A. S., Fellows, C. E.
A simulated annealing (SA) approach is employed in the determination of different tight binding (TB) sets of parameters for the nitride semiconductors AlN, GaN and InN, as well their limitations and potentialities are also discussed. Two kinds of ato
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1608.04715
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Martins, A. S., Fellows, C. E.
Publikováno v:
Molecular Physics; Apr2021, Vol. 119 Issue 8, p1-12, 12p
Publikováno v:
Journal of Chemical Physics; 6/7/2014, Vol. 140 Issue 21, p214311-1-214311-5, 5p, 3 Charts, 3 Graphs
Autor:
Fellows, C. E.1 fellows@if.uff.br, Rodegheri, C. C.1, Tauber, U.1, Tsui, K. H.1, Castro, M. P. P. De1, Carvalho, C. E. M.2
Publikováno v:
Applied Physics B: Lasers & Optics. Feb2004, Vol. 78 Issue 3/4, p421-424. 4p.
Autor:
Fellows, C. E.
Publikováno v:
Journal of the Institute of Actuaries (1886-1994), 1981 Dec 01. 108(3), 451-451.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/41140589