Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"Felitsyn, V. A."'
We have presented a compact MOSFET model, which allows us to describe the I-V characteristics of irradiated long-channel and short-channel transistors in all operation modes at different measurement temperatures and interface trap densities. The mode
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1702.06454
Publikováno v:
KnE Engineering; 10/8/2018, p74-78, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Evolutionäre Medizin; 2016, p537-540, 4p
Publikováno v:
Evolutionäre Medizin; 2016, p524-527, 4p
Publikováno v:
KnE Engineering; 10/8/2018, p103-105, 3p
Autor:
Bakerenkov, A. S., Shaltaeva, Y. R., Rodin, A. S., Glukhov, N. S., Felitsyn, V. A., Zhukov, A. I.
Publikováno v:
KnE Engineering; 10/8/2018, p97-99, 3p
Publikováno v:
KnE Engineering; 10/8/2018, p82-84, 3p
Publikováno v:
KnE Engineering; 10/8/2018, p79-81, 3p
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; March 2019, Vol. 498 Issue: 1 p012028-012028, 1p