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Autor:
Giaccherini A.[1], Russo F.[1], Carlà F.[2], Guerri A.[1], Picca R.[3], Cioffi N.[3], Cinotti S.[1], Montegrossi G.[4], Passaponti M.[1], Di Benedetto F.[3, Felici R.[6], Innocenti M. [1]
Publikováno v:
Applied surface science 432 (2018): 53–59. doi:10.1016/j.apsusc.2017.07.294
info:cnr-pdr/source/autori:Giaccherini A.[1], Russo F.[1], Carlà F.[2], Guerri A.[1], Picca R.[3], Cioffi N.[3], Cinotti S.[1], Montegrossi G.[4], Passaponti M.[1], Di Benedetto F.[3,4], Felici R.[6], Innocenti M. [1]/titolo:Operando SXRD of E-ALD deposited sulphides ultra-thin films: Crystallite strain and size/doi:10.1016%2Fj.apsusc.2017.07.294/rivista:Applied surface science/anno:2018/pagina_da:53/pagina_a:59/intervallo_pagine:53–59/volume:432
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Electrochemical Atomic Layer Deposition (E-ALD), exploiting surface limited electrodeposition of atomic layers, can easily grow highly ordered ultra-thin films and 2D structures. Among other compounds Cu x Zn y S grown by means of E-ALD on Ag(111) ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::451e8aba9e8ae2e0b0388d7ebbc37084
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.07.294
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.07.294
Autor:
Giaccherini A.[1, Cinotti S.[1], Guerri A.[1], Carlà F.[3], Montegrossi G.[4], Vizza F.[5], Lavacchi A.[5], Felici R.[6], Di Benedetto F.[1, Innocenti M.[1
Publikováno v:
Scientific reports (Nature Publishing Group) 7 (2017). doi:10.1038/s41598-017-01717-0
info:cnr-pdr/source/autori:Giaccherini A.[1,2], Cinotti S.[1], Guerri A.[1], Carlà F.[3], Montegrossi G.[4], Vizza F.[5], Lavacchi A.[5], Felici R.[6], Di Benedetto F.[1,7], Innocenti M.[1,5]/titolo:Operando SXRD study of the structure and growth process of Cu25 ultra-thin films/doi:10.1038%2Fs41598-017-01717-0/rivista:Scientific reports (Nature Publishing Group)/anno:2017/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:7
info:cnr-pdr/source/autori:Giaccherini A.[1,2], Cinotti S.[1], Guerri A.[1], Carlà F.[3], Montegrossi G.[4], Vizza F.[5], Lavacchi A.[5], Felici R.[6], Di Benedetto F.[1,7], Innocenti M.[1,5]/titolo:Operando SXRD study of the structure and growth process of Cu25 ultra-thin films/doi:10.1038%2Fs41598-017-01717-0/rivista:Scientific reports (Nature Publishing Group)/anno:2017/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:7
Electrochemical Atomic Layer Deposition (E-ALD) technique has demonstrated to be a suitable process for growing compound semiconductors, by alternating the under-potential deposition (UPD) of the metallic element with the UPD of the non-metallic elem
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::7a1e13d96012f58b974157e21d3bc4ec
