Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Fedichkin, L. E."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology 11, 392 (2000)
The influence of the electric field created by a gate potential of the silicon quantum computer on the hyperfine interaction constant (HIC) is obtained. The errors due to technological inaccuracy of location of donor atoms under a gate are evaluated.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/quant-ph/0012005
Autor:
Fedichkin, L. E.1,2 (AUTHOR) leonidf@gmail.com, Meshchaninov, F. P.2,3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Mathematical Sciences. 2021, Vol. 252 Issue 1, p104-115. 12p.
Autor:
Fedichkin, L. E.1,2 (AUTHOR) leonidf@gmail.com, Meshchaninov, F. P.2,3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Mathematical Sciences. 2020, Vol. 251 Issue 6, p104-115. 12p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology; December 2001, Vol. 12 Issue: 4 p536-539, 4p
Publikováno v:
Russian Microelectronics; September 2000, Vol. 29 Issue: 5 p285-293, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology; Dec2000, Vol. 11 Issue 4, p1-1, 1p