Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"Fe-Implantation"'
Publikováno v:
Electronic Materials, Vol 4, Iss 2, Pp 95-109 (2023)
The effects of Fe-implantation on the electrical characteristics of Au/p-Si Schottky barrier diodes (SBDs) were studied using current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) techniques. The Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/91a515352c1a4df39cd81271b70d86ab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronic Materials; Volume 4; Issue 2; Pages: 95-109
The effects of Fe-implantation on the electrical characteristics of Au/p-Si Schottky barrier diodes (SBDs) were studied using current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) techniques. The Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::2cd4dea571af033e8f8057a17c66168c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vorhauer, Julia
The superconducting, magnetic and crystallographic properties of magnetically dilute NbN thin films are investigated. The NbN thin film with ~100 nm nominal thickness are sputtered by reactive direct current (DC) magnetron sputtering onto (i) a c-pla
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3361::4594f29c23a11b3c3c510db8d29fa572
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physics Procedia. 75:565-571
A 460 nm thick amorphous SiO2 layer, formed on a Si (100) surface by air-annealing the Si substrate at 1100oC for 24 h, was implanted with 57Fe to a fluence of 1 x 1016/cm2 at room temperature and annealed at temperatures up to 1000oC. The implanted
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c2be1fb77368e48d6f4d03e816c0cde0
https://doi.org/10.1016/j.phpro.2015.12.072
https://doi.org/10.1016/j.phpro.2015.12.072