Výsledky vyhledávání - "Favaro, M. E."

Akademický článek

Characteristics of step-graded separate confinement quantum well lasers with direct and indirect barriers.

Autor: Miller, L. M., Beernink, K. J., Cockerill, T. M., Bryan, R. P., Favaro, M. E., Kim, J., Coleman, J. J., Wayman, C. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1990, Vol. 68 Issue 5, p1964, 4p, 4 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Strained layer InGaAs channel negative-resistance field-effect transistor.

Autor: Favaro, M. E., Fernández, G. E., Higman, T. K., York, P. K., Miller, L. M., Coleman, J. J.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1989, Vol. 65 Issue 1, p378, 3p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

p-channel negative resistance field-effect transistor.

Autor: Favaro, M. E., Miller, L. M., Bryan, R. P., Alwan, J. J., Coleman, J. J.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 3/12/1990, Vol. 56 Issue 11, p1058, 3p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Observation of apparent inelastic tunneling between Landau levels in superlattices.

Autor: Higman, T. K., Favaro, M. E., Miller, L. M., Emanuel, M. A., Coleman, J. J.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/1/1989, Vol. 54 Issue 18, p1751, 3p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Room-temperature switching and negative differential resistance in the heterostructure hot-electron diode.

Autor: Higman, T. K., Miller, L. M., Favaro, M. E., Emanuel, M. A., Hess, K., Coleman, J. J.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 10/24/1988, Vol. 53 Issue 17, p1623, 3p

Zobrazit plný text záznamu