Zobrazeno 1 - 10
of 285
pro vyhledávání: '"Fauchet, P. M."'
We report photocarrier time-of-flight measurements in diode structures made of highly porous crystalline silicon. The corresponding electron and hole drift mobilities are very small compared to homogeneous crystalline silicon. They show two additiona
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9811205
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/15/2002, Vol. 91 Issue 8, p4966, 7p, 1 Black and White Photograph, 2 Diagrams, 5 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/15/1990, Vol. 67 Issue 4, p1757, 4p, 3 Diagrams, 6 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/1/1988, Vol. 63 Issue 7, p2316, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.