Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"Fateev, N. V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors; May2024, Vol. 58 Issue 5, p386-392, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Zhuravlev K. S., null Kozhukhov A. S., null Protasov D Yu., null Fateev N. V., null Dmitriev D. V., null Gulyaev D. V.
Publikováno v:
Technical Physics. 67:2248
The internal quantum efficiency of GaAs/AlGaAs- and InGaAs/AlGaAs-heterostructures for infrared light emitter diodes has been determined. The influence of the growth conditions of heterostructures grown by the molecular beam epitaxy and post-growth a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Fateev, N. V.
Publikováno v:
Technical Physics Letters; Sep2021, Vol. 47 Issue 9, p692-695, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fateev, N. V.1 fateev@isp.nsc.ru
Publikováno v:
Optics & Spectroscopy. Jun2005, Vol. 98 Issue 6, p791-795. 5p.