Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"Farzana, Esmat"'
Autor:
Farzana, Esmat
Beta-phase gallium oxide (β-Ga2O3) is attracting significant interest for high-power electronics and ultraviolet optoelectronics due to its ~4.8 eV wide bandgap, large predicted breakdown field, ability to support β-(Al1-xGax)2O3/Ga2O3 heterojuncti
Autor:
Johnson, Jared M., Chen, Zhen, Varley, Joel B., Jackson, Christine M., Farzana, Esmat, Zhang, Zeng, Arehart, Aaron R., Huang, Hsien-Lien, Genc, Arda, Ringel, Steven A., Van de Walle, Chris G., Muller, David A., Hwang, Jinwoo
Publikováno v:
Phys. Rev. X 9, 041027 (2019)
Understanding the unique properties of ultra-wide band gap semiconductors requires detailed information about the exact nature of point defects and their role in determining the properties. Here, we report the first direct microscopic observation of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.00563
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 11/6/2023, Vol. 123 Issue 19, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Procedia Technology 2013 7:166-172
Autor:
Farzana, Esmat, Foronda, Humberto M., Jackson, Christine M., Razzak, Towhidur, Zhang, Zeng, Speck, James S., Arehart, Aaron R., Ringel, Steven A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 14, pN.PAG-N.PAG, 8p, 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs
Deep level defects in Ge-doped (010) β-Ga2 O3 layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 8p, 1 Diagram, 1 Chart, 7 Graphs
Autor:
Farzana, Esmat, Bhattacharyya, Arkka, Hendricks, Nolan S., Itoh, Takeki, Krishnamoorthy, Sriram, Speck, James S.
Publikováno v:
APL Materials; 11/1/2022, Vol. 10 Issue 11, p1-6, 6p