Výsledky vyhledávání - "Farys, Vincent"

Dissertation/ Thesis

Influence des défauts enterrés dans les masques pour la lithographie Extreme Ultra Violet

Autor: Farys, Vincent

Dans l'industrie de la microélectronique, l'étape clé permettant la réduction de la taille des circuits intégrés a toujours été celle de lithographie. C'est elle qui va déterminer la taille du plus petit motif réalisable. A l'heure actuelle

Externí odkaz: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00135902
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/13/59/02/PDF/Farys_-_Influence_des_defauts_enterres_dans_les_masques_pour_lithographie_EUV.pdf

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Conference

Beyond contrast curve approach : a grayscale model applied to sub 5μm patterns.

Autor: Chevalier, Pierre, Patrick, Quéméré, Beylier, Charlotte, Bérard-Bergery, Sébastien, Allouti, Nacima, Paris, Marion, Farys, Vincent, Vaillant, Jérôme

Publikováno v: Proceedings of SPIE; 1/21/2019, Vol. 10958, p1-15, 15p

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Accurate mask model implementation in OPC model for 14nm nodes and beyond

Autor: Hayashi, Naoya, Kasprowicz, Bryan, Zine el abidine, Nacer, Sundermann, Frank, Yesilada, Emek, Farys, Vincent, Huguennet, Frederic, Armeanu, Ana-Maria, Bork, Ingo, Chomat, Michael, Buck, Peter, Schanen, Isabelle

Publikováno v: SPIE Photomask Technology
SPIE Photomask Technology, Oct 2015, Monterey, United States. pp.96350W

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c0f66ff09884700c9eb1aa2563e00dce
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02025238

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Conference

Advanced metrology by offline SEM data processing.

Autor: Lakcher, Amine, Schneider, Loïc, Le-Gratiet, Bertrand, Ducoté, Julien, Farys, Vincent, Besacier, Maxime

Publikováno v: Proceedings of SPIE; 10/10/2017, Vol. 10446, p1-12, 12p

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Akademický článek

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Periodical

Beyond contrast curve approach: a grayscale model applied to sub-5μm patterns

Autor: Sanchez, Martha I., Panning, Eric M., Chevalier, Pierre, Quéméré, Patrick, Beylier, Charlotte, Bérard-Bergery, Sébastien, Allouti, Nacima, Paris, Marion, Farys, Vincent, Vaillant, Jérôme

Publikováno v: Proceedings of SPIE; June 2019, Vol. 10958 Issue: 1 p109581E-109581E-15, 10848535p

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OPC model error study through mask and SEM measurement error

Autor: Top, Mame Kouna, Fuard, David, Farys, Vincent, Trouiller, Yorick, Schiavone, Patrick

Publikováno v: Proceedings of SPIE
Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXIV
Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXIV, Feb 2010, San Jose (CA), United States. in press

International audience; Mask and metrology errors such as SEM (Scanning Electron Microscopy) measurement errors are currently not accounted for when calibrating OPC models. Nevertheless, they can lead to erroneous model parameters therefore causing i

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::00c02e7a0c629b4b3ba7a7b7f726ab9e
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00462229/document

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