Zobrazeno 1 - 10
of 92
pro vyhledávání: '"Fariborzi, Hossein"'
Autor:
Lone, Aijaz H., Tang, Meng, Rahimi, Daniel N., Zou, Xuecui, Zheng, Dongxing, Fariborzi, Hossein, Zhang, Xixiang, Setti, Gianluca
Spintronic devices, such as the domain walls and skyrmions, have shown significant potential for applications in energy-efficient data storage and beyond CMOS computing architectures. In recent years, spiking neural networks have shown more bio-plaus
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.03767
Autor:
Lone, Aijaz H., Zou, Xuecui, Mishra, Kishan K., Singaravelu, Venkatesh, Fariborzi, Hossein, Setti, Gianluca
Spintronics has gone through substantial progress due to its applications in energy-efficient memory, logic and unconventional computing paradigms. Multilayer ferromagnetic thin films are extensively studied for understanding the domain wall and skyr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.00476
Skyrmionic devices exhibit energy-efficient and high-integration data storage and computing capabilities due to their small size, topological protection, and low drive current requirements. So, to realize these devices, an extensive study, from funda
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.11811
Autor:
Lone, Aijaz H., Zou, Xuecui, Das, Debasis, Fong, Xuanyao, Setti, Gianluca, Fariborzi, Hossein
Topologically protected spin textures, such as magnetic skyrmions, have the potential for dense data storage as well as energy-efficient computing due to their small size and a low driving current. The evaluation of the writing and reading of the sky
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.07742
We propose a novel spin-orbit torque (SOT) driven and voltage-gated domain wall motion (DWM)-based MTJ device and its application in neuromorphic computing. We show that by utilizing the voltage-controlled gating effect on the DWM, the access transis
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.09444
Autor:
Lu, Yi, Zou, Xuecui, Krishna, Shibin, Tang, Xiao, Liu, Zhiyuan, Nong, Mingtao, Liao, Che-Hao, Yuvaraja, Saravanan, Ben Hassine, Mohamed, Fariborzi, Hossein, Li, Xiaohang
Publikováno v:
In Materials Today Physics August 2023 36
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alghadeer, Mohammed, Banerjee, Archan, Lee, Kyunghoon, Hussein, Hussein, Fariborzi, Hossein, Rao, Saleem
Publikováno v:
Scientific Reports; 11/9/2024, p1-11, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.