Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Fang, Xiaogong"'
Autor:
Wang, Changan, Fang, Xiaogong, Zhang, Aihua, Zeng, Min, Fan, Zhen, Chen, Deyang, Gao, Xingsen, Lu, Xubing
Publikováno v:
In Ceramics International 1 October 2018 44(14):17199-17203
Publikováno v:
In Materials Research Bulletin October 2013 48(10):3687-3690
Publikováno v:
2017 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC).
As CMOS technology continues to scale down, one of the most critical factors that affect the device performance is the various defects which are introduced in the process. The poly defect formation was found in un-doped gate poly film. In this paper,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c9010c5e59d4b4facb9c23605dea0674
https://doi.org/10.1109/cstic.2017.7919807
https://doi.org/10.1109/cstic.2017.7919807
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Dec2013, Vol. 114 Issue 23, p233912, 4p, 1 Color Photograph, 1 Diagram, 1 Chart, 3 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Europhysics Letters; Feb2014, Vol. 105 Issue 4, p47010-47015, 6p
Publikováno v:
Materials Research Bulletin. Oct2013, Vol. 48 Issue 10, p3687-3690. 4p.