Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"Fan Tuo"'
Publikováno v:
Scientific Reports 12, 2426 (2022)
Topological materials, such as topological insulators (TIs), have great potential for ultralow power spintronic devices, thanks to their giant spin Hall effect. However, the giant spin Hall angle (${\theta}_{SH}$ > 1) is limited to a few chalcogenide
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2111.12889
Publikováno v:
Scientific Reports 12, 2998 (2022)
Spin-orbit torque (SOT) magnetization switching of ferromagnets with large perpendicular magnetic anisotropy has a great potential for the next-generation non-volatile magnetoresistive random-access memory (MRAM). It requires a high-performance pure
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.02264
Publikováno v:
AIP Advances 9, 125309 (2019)
We observe the signature of zero-field ground-state skyrmions in BiSb topological insulator / MnGa bi-layers by using the topological Hall effect (THE). We observe a large critical interfacial Dzyaloshinskii-Moriya-Interaction energy (5.0 pJ/m) at th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.02724
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fan, Tuo1 (AUTHOR), Khang, Nguyen Huynh Duy1,2 (AUTHOR), Nakano, Soichiro1 (AUTHOR), Hai, Pham Nam1,3,4 (AUTHOR) pham.n.ab@m.titech.ac.jp
Publikováno v:
Scientific Reports. 2/22/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-8. 8p.
Autor:
Shirokura, Takanori1 (AUTHOR), Fan, Tuo1 (AUTHOR), Khang, Nguyen Huynh Duy1,2 (AUTHOR), Kondo, Tsuyoshi3 (AUTHOR), Hai, Pham Nam1,4 (AUTHOR) pham.n.ab@m.titech.ac.jp
Publikováno v:
Scientific Reports. 2/14/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-10. 10p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4be53bbcf22727ef07824d25209f0176
https://doi.org/10.7567/ssdm.2020.k-10-04
https://doi.org/10.7567/ssdm.2020.k-10-04
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.