Zobrazeno 1 - 10
of 67
pro vyhledávání: '"Fan Hongyang"'
Autor:
Hu, Tao, Sun, Xiaoqing, Bai, Mingkai, Jia, Xinpei, Dai, Saifei, Li, Tingting, Han, Runhao, Ding, Yajing, Fan, Hongyang, Zhao, Yuanyuan, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Si, Mengwei, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu
In this work, we demonstrate the enlargement of the memory window of Si channel FeFET with ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 by gate-side dielectric interlayer engineering. By inserting an Al2O3 dielectric interlayer between TiN gate metal and ferroelectric
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.16829
Autor:
Fan, Hongyang a, 1, Li, Sai b, 1, Guo, Xin a, d, 1, Chen, Min c, Zhang, Honggao a, Chen, Yingzhu a, ⁎
Publikováno v:
In Parkinsonism and Related Disorders January 2025 130
Publikováno v:
In ISPRS Journal of Photogrammetry and Remote Sensing December 2024 218 Part A:422-446
Autor:
Chen, Min1,2 (AUTHOR), Fan, Hongyang3 (AUTHOR), Xie, Lili2 (AUTHOR), Zhou, Li2 (AUTHOR), Chen, Yingzhu1,4 (AUTHOR) yzchendr@163.com
Publikováno v:
BMC Neurology. 10/22/2024, Vol. 24 Issue 1, p1-12. 12p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Clinical Neuroscience July 2022 101:228-233
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Song, Yuxia1,2 (AUTHOR), Fan, Hongyang2 (AUTHOR), Tang, XiaoJia1,2 (AUTHOR), Luo, Yuhan1,2 (AUTHOR), Liu, Peipei2,3 (AUTHOR), Chen, Yingzhu2,3 (AUTHOR)
Publikováno v:
International Journal of Neuroscience. Feb2023, Vol. 133 Issue 2, p176-185. 10p.
Autor:
Zheng, Zhe, Xu, Bo, Zhang, Heng, Guan, Changdong, Xian, Ying, Zhao, Yanyan, Fan, Hongyang, Yang, Yuejin, Wang, Wei, Gao, Runlin, Hu, Shengshou
Publikováno v:
In JACC: Cardiovascular Interventions 13 June 2016 9(11):1102-1111
Autor:
Hu, Tao, Sun, Xiaoqing, Bai, Mingkai, Jia, Xinpei, Dai, Saifei, Li, Tingting, Han, Runhao, Ding, Yajing, Fan, Hongyang, Zhao, Yuanyuan, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Si, Mengwei, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; 2024, Vol. 45 Issue: 5 p825-828, 4p