Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Fan, Hanghong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jianhua Gao, Renren Fang, Yang Chengdong, Hongxiang Li, Xiongfa Yang, Fan Hanghong, Ru Chen, Wenping Hu
Publikováno v:
Chemistry - An Asian Journal. 13:846-852
It is very important to develop ambipolar field effect transistors to construct complementary circuits. To obtain balanced hole- and electron-transport properties, one of the key issues is to regulate the energy levels of the frontier orbitals of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::512e5081dcdc2a5d41474ce6d65eb85d
https://doi.org/10.1002/asia.201701800
https://doi.org/10.1002/asia.201701800
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen, Guangjin, Huo, Xinwei, Ma, Qingfang, Pan, Qinghua, Fan, Hanghong, Ma, Wangjing, Fang, Renren, Chen, Ru, Gao, Jianhua
Publikováno v:
RSC Advances; 2022, Vol. 12 Issue 5, p3191-3197, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.