Zobrazeno 1 - 10 of 52 pro vyhledávání: '"Falub, C. V."'
1
Report
Germanium crystals on silicon show their light
Autor: Pezzoli, F., Isa, F., Isella, G., Falub, C. V., Kreiliger, T., Salvalaglio, M., Bergamaschini, R., Grilli, E., Guzzi, M., von Kaenel, H., Miglio, Leo
Publikováno v: Phys. Rev. Applied 1, 044005 (2014)
Germanium and silicon-germanium alloys have found entry into Si technology thanks to their compatibility with Si processing and their ability to tailor electronic properties by strain and band-gap engineering. Germanium's potential to extend Si funct
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1306.5270
Zobrazit plný text záznamu
2
Report
Total Angular Momentum Conservation During Tunnelling through Semiconductor Barriers
Autor: Gennser, U., Scheinert, M., Diehl, L., Tsujino, S., Borak, A., Falub, C. V., Grützmacher, D., Weber, A., Maude, D. K., Campidelli, Y., Kermarrec, O., Bensahel, D.
We have investigated the electrical transport through strained p-Si/Si_{1-x}Ge_x double-barrier resonant tunnelling diodes. The confinement shift for diodes with different well width, the shift due to a central potential spike in a well, and magnetot
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/0501212
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale.
Autor: Taboada, A. G., Meduňa, M., Salvalaglio, M., Isa, F., Kreiliger, T., Falub, C. V., Meier, E. Barthazy, Müller, E., Miglio, L., Isella, G., von Känel, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/7/2016, Vol. 119 Issue 5, p1-12, 12p, 5 Color Photographs, 4 Black and White Photographs, 1 Chart, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Intersubband absorption of strain-compensated Si1-xGex valence-band quantum wells with 0.7<=x<=0.85.
Autor: Fromherz, T., Medunňa, M., Bauer, G., Borak, A., Falub, C. V., Tsujino, S., Sigg, H., Grützmacher, D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/2005, Vol. 98 Issue 4, p044501, 7p, 2 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
High temperature investigations of Si/SiGe based cascade structures using x-ray scattering methods
Autor: Meduňa, M., Novák, J., Falub, C. V., Bauer, G., Tsujino, S., Grützmacher, D., Müller, E., Campidelli, Y., Kermarrec, O., Bensahel, D., Schell, N.
Publikováno v: Journal of Physics D: Applied Physics 38(2005), A121-A125
We have investigated strain compensated Si/Si0.2Ge0.8 multilayers, which were grown pseudomorphically on relaxed Si0.5Ge0.5 pseudosubstrates by molecular beam epitaxy. The stability of these highly strained Si/SiGe structures upon in situ annealing h
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::a3e587ebbfefdb8924e5171d5490acca
https://www.hzdr.de/publications/Publ-8210-1
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje