Au-catalyzed synthesis and characterisation of phase change Ge-doped Sb–Te nanowires by MOCVD

Autor: Longo, M., Stoycheva, T., Fallica, R., Wiemer, C., Lazzarini, L., Rotunno, E.

Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 1 May 2013 370:323-327

Growth study of Ge xSb yTe z deposited by MOCVD under nitrogen for non-volatile memory applications

Autor: Longo, M., Salicio, O., Wiemer, C., Fallica, R., Molle, A., Fanciulli, M., Giesen, C., Seitzinger, B., Baumann, P.K., Heuken, M., Rushworth, S.

Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 2008 310(23):5053-5057

Absorption coefficient and exposure kinetics of photoresists at EUV

Autor: Fallica, R., Haitjema, J., Wu, L., Castellanos Ortega, S., Brouwer, F., Ekinci, Y., Panning, E.M., Goldberg, K.A.

Publikováno v: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VIII: 27 February–2 March 2017, San Jose, California, United States
Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VIII

The experimental measurement of the time-dependent absorption of photoresists at extreme ultraviolet wavelength is of great interest for the modeling of the lithographic process. So far, several technical challenges have made the accurate determinati

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::672df16f9d7fed84e4ae6e8535b48b09
https://doi.org/10.1117/12.2257240

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.