Zobrazeno 1 - 10 of 98 pro vyhledávání: '"Fahrenbruch, Alan L."'
2
Akademický článek
Ion-assisted doping of p-CdTe films.
Autor: Sharps, Paul, Fahrenbruch, Alan L., Lopez-Otero, Adolfo, Bube, Richard H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1990, Vol. 68 Issue 12, p6406, 9p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Transport mechanisms in ZnO/CdS/CuInSe2 solar cells.
Autor: Yoo, Ji-Beom, Fahrenbruch, Alan L., Bube, R. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1990, Vol. 68 Issue 9, p4694, 6p, 1 Diagram, 1 Chart, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Properties of metal-semiconductor and metal-insulator-semiconductor junctions on CdTe single crystals.
Autor: Wang, Frank F., Fahrenbruch, Alan L., Bube, Richard H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/1989, Vol. 65 Issue 9, p3552, 8p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Properties of CdS/ZnCdTe heterojunctions.
Autor: Peters, Michael G., Fahrenbruch, Alan L., Bube, Richard H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/15/1988, Vol. 64 Issue 6, p3106, 6p, 2 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Kinetics and oxide composition for thermal oxidation of cadmium telluride.
Autor: Wang, Fang, Schwartzman, Alan, Fahrenbruch, Alan L., Sinclair, Robert, Bube, Richard H., Stahle, Carl M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1987, Vol. 62 Issue 4, p1469, 8p, 1 Diagram, 1 Chart, 14 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Properties of zinc-phosphide junctions and interfaces.
Autor: Casey, M. Sean, Fahrenbruch, Alan L., Bube, Richard H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1987, Vol. 61 Issue 8, p2941, 6p, 2 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Relative carrier densities and trap effects on the properties of CdS/CdTe.
Autor: Fortmann, Charles M., Fahrenbruch, Alan L., Bube, Richard H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1987, Vol. 61 Issue 5, p2038, 8p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Determination of dopant and deep imperfection profiles in p-type CdTe by improved constant capacitance-voltage transient measurements.
Autor: Shiau, Jeng-Jye, Fahrenbruch, Alan L., Bube, Richard H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1987, Vol. 61 Issue 4, p1340, 8p, 1 Diagram, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Influence of ac contact impedance on high-frequency, low-temperature, or fast-transient junction measurements in semiconductors.
Autor: Shiau, Jeng-Jye, Fahrenbruch, Alan L., Bube, Richard H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1987, Vol. 61 Issue 4, p1556, 6p, 2 Diagrams, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje