Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"Faella, E."'
Autor:
Di Bartolomeo, A., Pelella, A., Grillo, A., Urban, F., Iemmo, L., Faella, E., Martucciello, N., Giubileo, F.
We fabricate monolayer MoS2 field effect transistors and study their electric characteristics from 10^-6 Torr to atmospheric air pressure. We show that the threshold voltage of the transistor increases with the growing pressure. Hence, we propose the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2006.04474
Autor:
Di Bartolomeo, A., Kumar, A., Durante, O., Sessa, A., Faella, E., Viscardi, L., Intonti, K., Giubileo, F., Martucciello, N., Romano, P., Sleziona, S., Schleberger, M.
Publikováno v:
In Materials Today Nano December 2023 24
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Giubileo, F., Grillo, A., Pelella, A., Faella, E., Martucciello, N., Passacantando, M., Di Bartolomeo, A.
Publikováno v:
Lecture Notes in Electrical Engineering ISBN: 9783031081354
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8f801744adc81024a713cac8a6133fa1
https://doi.org/10.1007/978-3-031-08136-1_33
https://doi.org/10.1007/978-3-031-08136-1_33
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Giubileo, F., Grillo, A., Pelella, A., Faella, E., Camilli, L., Sun, J. B., Capista, D., Passacantando, M., Di Bartolomeo, A.
Publikováno v:
Giubileo, F, Grillo, A, Pelella, A, Faella, E, Camilli, L, Sun, J B, Capista, D, Passacantando, M & Di Bartolomeo, A 2021, ' Germanium arsenide nanosheets applied as twodimensional field emitters ', Journal of Physics: Conference Series, vol. 2047, no. 1, 012021 . https://doi.org/10.1088/1742-6596/2047/1/012021
The IV-V groups binary compound germanium arsenide (GeAs) is a semiconductor that can be easily exfoliated in very thin nanosheets and is characterized by a band gap ranging from 0.6 eV (bulk form) up to 2.1 eV (monolayer). We investigate the field e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1202::94af4a901a6b78c86e35a034bf3fc98d
https://orbit.dtu.dk/en/publications/fce6a5db-5074-4fdb-9c82-3f74898deb8b
https://orbit.dtu.dk/en/publications/fce6a5db-5074-4fdb-9c82-3f74898deb8b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.