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pro vyhledávání: '"Fabio Aparecido Ferri"'
Autor:
José Yitzhak Aarón Chacaliaza Ricaldi, Gaston Lozano Calderón, José Luis Clabel H., Fabio Aparecido Ferri, Ariano De Giovanni Rodrigues, Y. Messaddeq, Víctor Anthony García Rivera, Euclydes Marega Junior
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af22e83fe1a6e199c08b8995c3b468de
https://doi.org/10.2139/ssrn.4392388
https://doi.org/10.2139/ssrn.4392388
Autor:
Fabio Aparecido Ferri, Maximo Siu Li, LUIZ ANTONIO OLIVEIRA NUNES, Victor Anthony Garcia Rivera, Euclydes Marega Jr., Marcelo A Pereira-da-Silva, José Clabel
Publikováno v:
Repositório Institucional da USP (Biblioteca Digital da Produção Intelectual)
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
High red photoluminescence emission has been obtained at room temperature in Eu3+-doped yttrium oxide thin films following thermal treatment. Films with different thicknesses were deposited on Si(1 0 0) and Si(1 1 1) substrates via electron beam evap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d2243cf54343a1f4f148668b05a7bffa
https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2013.12.022
https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2013.12.022
Autor:
Fabio Aparecido Ferri
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPUniversidade de São PauloUSP.
Recentemente, a dopagem de semicondutores (envolvendo compostos II-VI, IV-VI, III-V, e do grupo-IV) com espécies magnéticas tem sido extensivamente investigada em função do seu potencial em spintrônica. Neste contexto, semicondutores magnéticos
Autor:
Fabio Aparecido Ferri
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPUniversidade de São PauloUSP.
Devido às suas potenciais aplicações tecnológicas (células solares, transistores de filme fino TFT, etc.), o estudo do silício amorfo (a-Si) tem despertado o interesse da comunidade científica desde o final da década de 70. Mais recentemente,
Autor:
Fabio Aparecido Ferri
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Devido às suas potenciais aplicações tecnológicas (células solares, transistores de filme fino TFT, etc.), o estudo do silício amorfo (a-Si) tem despertado o interesse da comunidade científica desde o final da década de 70. Mais recentemente,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::de504ec13acdb6646a47ec500b15d12e
Publikováno v:
Physical Chemistry Chemical Physics (PCCP); 3/7/2017, Vol. 19 Issue 9, p6297-6312, 16p
Autor:
Tsuchida, Jefferson Esquina, Ferri, Fabio Aparecido, Pizani, Paulo Sergio, Martins Rodrigues, Ana Candida, Kundu, Swarup, Schneider, José Fabián, Zanotto, Edgar Dutra
Publikováno v:
Physical Chemistry Chemical Physics (PCCP); 3/7/2017, Vol. 19 Issue 9, p6594-6600, 7p
Autor:
Gaston Lozano Calderón
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
In this dissertation, tellurite-zinc glasses doped with Tm3+, Yb3+ and Er3+ were fabricated by conventional melt-quenching method and characterized by absorption spectroscopy, refractive index, lifetime measurements, excitation, luminescence and up-c
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::b6fc31e536ce8d498c6356f7d5446914
Autor:
Otavio de Brito Silva
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPUniversidade de São PauloUSP.
O confinamento da luz em escala nanométrica, em especial para estruturas metálicas, é conferido graças à ação coletiva dos elétrons livres desses materiais que ao entrarem em ressonância com a frequência da radiação incidente geram campos
Autor:
Otavio de Brito Silva
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
O confinamento da luz em escala nanométrica, em especial para estruturas metálicas, é conferido graças à ação coletiva dos elétrons livres desses materiais que ao entrarem em ressonância com a frequência da radiação incidente geram campos
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d8124cb9c64ac48ecf26dffa84d24dd6