Zobrazeno 1 - 10 of 54 pro vyhledávání: '"FIELD-effect transistor manufacturing"'
1
Akademický článek
Carbon nanotube transistors: Making electronics from molecules.
Autor: Franklin, Aaron D.1,2 aaron.franklin@duke.edu, Hersam, Mark C.3,4,5, Wong, H.-S. Philip6,7
Publikováno v: Science. 11/18/2022, Vol. 378 Issue 6621, p726-732. 7p. 5 Color Photographs, 1 Chart.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
A density functional study of the effect of hydrogen on electronic properties and band discontinuity at anatase TiO2/diamond interface.
Autor: Wu, Kongping1,2, Liao, Meiyong1, Sang, Liwen3, Liu, Jiangwei1, Imura, Masataka1, Ye, Haitao4, Koide, Yasuo5
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG. 7p. 1 Diagram, 5 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Field-Effect Tunneling Transistor Based on Vertical Graphene Heterostructures.
Autor: Britnel, L.1, Gorbachev, R. V.2, Jalil, R.2, Belle, B. D.2, Schedin, F.2, Mishchenko, A.1, Georgiou, T.1, Katsnelson, M. I.3, Eaves, L.4, Morozov, S. V.5, Peres, N. M. R.6,7, Leist, J.8, Geim, A. K.1,2 geim@manchester.ac.uk, Novoselov, K. S.1 kostya@manchester.ac.uk, Ponomarenko, L. A.1 leonid.ponomarenko@manchester.ac.uk
Publikováno v: Science. 2/24/2012, Vol. 335 Issue 6071, p947-950. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
A New Physical Method Based on $CV$ – $GV$ Simulations for the Characterization of the Interfacial and Bulk Defect Density in High- $k$ /III-V MOSFETs.
Autor: Sereni, Gabriele1, Vandelli, Luca1, Veksler, Dmitry2, Larcher, Luca1
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices. Mar2015, Vol. 62 Issue 3, p705-712. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
A MOSFET Fabrication Using a Maskless Lithography System in Clean-Localized Environment of Minimal Fab.
Autor: Khumpuang, Sommawan1, Hara, Shiro1
Publikováno v: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. Aug2015, Vol. 28 Issue 3, p393-398. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Ferroelectric field-effect transistors based on solution-processed electrochemically exfoliated graphene.
Autor: Heidler, Jonas1, Yang, Sheng1, Asadi, Kamal1, Müllen, Klaus1,2, Feng, Xinliang3
Publikováno v: Solid-State Electronics. Jun2018, Vol. 144, p90-94. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Fabrication of a solution-gated transistor based on valinomycin modified iron oxide nanoparticles decorated zinc oxide nanorods for potassium detection.
Autor: Ahn, Min-Sang1, Ahmad, Rafiq1 rahmad38@jbnu.ac.kr, Bhat, Kiesar Sideeq1, Yoo, Jin-Young1, Mahmoudi, Tahmineh1, Hahn, Yoon-Bong1 ybhahn@chonbuk.ac.kr
Publikováno v: Journal of Colloid & Interface Science. May2018, Vol. 518, p277-283. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Floating-Body Effect in Partially/Dynamically/Fully Depleted DG/SOI MOSFETs Based on Unified Regional Modeling of Surface and Body Potentials.
Autor: Chiah, Siau Ben1, Zhou, Xing1
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices. Feb2014, Vol. 61 Issue 2, p333-341. 9p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje