Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"FERDAUS, FARAH"'
Autor:
Chitty-Venkata, Krishna Teja, Raskar, Siddhisanket, Kale, Bharat, Ferdaus, Farah, Tanikanti, Aditya, Raffenetti, Ken, Taylor, Valerie, Emani, Murali, Vishwanath, Venkatram
Large Language Models (LLMs) have propelled groundbreaking advancements across several domains and are commonly used for text generation applications. However, the computational demands of these complex models pose significant challenges, requiring e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2411.00136
This article introduces a novel, low-cost technique for hiding data in commercially available resistive-RAM (ReRAM) chips. The data is kept hidden in ReRAM cells by manipulating its analog physical properties through switching ($\textit{set/reset}$)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2401.04411
Electronic counterfeiting is a longstanding problem with adverse long-term effects for many sectors, remaining on the rise. This article presents a novel low-cost technique to embed watermarking in devices with resistive-RAM (ReRAM) by manipulating i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.02104
Publikováno v:
ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems, 2023
Many commercially available memory chips are fabricated worldwide in untrusted facilities. Therefore, a counterfeit memory chip can easily enter into the supply chain in different formats. Deploying these counterfeit memory chips into an electronic s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.09199
Approximate computing (AC) leverages the inherent error resilience and is used in many big-data applications from various domains such as multimedia, computer vision, signal processing, and machine learning to improve systems performance and power co
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.14151
Publikováno v:
22nd International Symposium for Quality in Electronic Design (ISQED), CA, USA, 2021
The emerging magneto-resistive RAM (MRAM) has considerable potential to become a universal memory technology because of its several advantages: unlimited endurance, lower read/write latency, ultralow-power operation, high-density, and CMOS compatibil
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.00198
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Al-Abqari - Journal of Islamic Social Sciences & Humanities; 2022, Vol. 27 Issue 1, p95-114, 20p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.