Zobrazeno 1 - 10
of 334
pro vyhledávání: '"FELDMAN, L. C."'
Autor:
Bruevich, V., Kasaei, L., Rangan, S., Hijazi, H., Zhang, Z., Emge, T., Andrei, E., Bartynski, R. A., Feldman, L. C., Podzorov, V.
Lead-halide perovskites emerged as novel semiconducting materials suitable for a variety of optoelectronic applications. However, fabrication of reliable perovskite field-effect transistors (FETs), the devices necessary for the fundamental and applie
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.13056
Publikováno v:
Science, 2006 May . 312(5776), 1024-1026.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3846144
Effect of surface treatments on ALD Al2O3/4H-SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistors.
Autor:
Jayawardhena, I. U., Ramamurthy, R. P., Morisette, D., Ahyi, A. C., Thorpe, R., Kuroda, M. A., Feldman, L. C., Dhar, S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/21/2021, Vol. 129 Issue 7, p1-6, 6p
Publikováno v:
Science, 2011 Sep . 333(6051), 1824-1824.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/23060382
Autor:
Eisenberger, P., Feldman, L. C.
Publikováno v:
Science, 1981 Oct . 214(4518), 300-305.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/1686865
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 119 Issue 15, p155705-1-155705-6, 6p
Autor:
Y. Xu, C. Xu, G. Liu, H. D. Lee, Shubeita, S. M., Jiao, C., Modic, A., Ahyi, A. C., Sharma, Y., Wan, A., Williams, J. R., Gustafsson, T., Dhar, S., Garfunkel, E. L., Feldman, L. C.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 23, p235303-1-235303-5, 5p, 1 Chart, 4 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 115 Issue 3, p1-11, 11p, 7 Graphs