Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"F.R. Phelleps"'
Publikováno v:
10th Annual IEEE (GaAs IC) Symposium, Gallium Arsenide Integrated Circuit. Technical Digest 1988..
An MMIC (microwave monolithic integrated circuit) using a dual-gate MESFET (DGMF) for variable-power application in the 33-GHz band has been developed. A single-stage amplifier demonstrated a linear gain of 9.1 dB and a dynamic range of 30 dB. A two-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2bd53587227efff83b69111d00f682d8
https://doi.org/10.1109/gaas.1988.11019
https://doi.org/10.1109/gaas.1988.11019
Autor:
T.T. Lee, H.C. Huang, F.R. Phelleps, J.F. Bass, T.F. Noble, P. Rainville, J.F. Singer, H.-L.A. Hung
Publikováno v:
IEEE 1988 Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium. Digest of Papers..
GaAs monolithic MESFET low-noise amplifiers (LNAs) developed for operation in the 60-GHz band are described. A device/circuit computer-aided design (CAD) program developed at COMSAT Laboratories permitted a parametric study of circuit performance, wi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::47bf7c54351342383c40b143cfc083e1
https://doi.org/10.1109/mcs.1988.197296
https://doi.org/10.1109/mcs.1988.197296
Publikováno v:
1992 IEEE Microwave Symposium Digest MTT-S.
A novel technique for reducing oscillator phase noise has been demonstrated. The technique utilizes a pair of limiting diodes to keep the metal-semiconductor field-effect transistor operating in a linear region. An X-band monolithic microwave integra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::022fad6b675af7d0ac3d2f37d359e5e4
https://doi.org/10.1109/mwsym.1992.188013
https://doi.org/10.1109/mwsym.1992.188013
Publikováno v:
IEEE Symposium on Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits.
An all ion-implant, planar process has been used to fabricate high-Q hyperabrupt carrier profile varactor diodes for use in GaAs monolithic microwave IC (MMIC) voltage-controlled oscillators (VCOs) with the state-of-the-art performance. These GaAs va
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6379b81554cfc8ca82284cb0968c5d5b
https://doi.org/10.1109/mcs.1990.110950
https://doi.org/10.1109/mcs.1990.110950
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 36:1966-1975
GaAs MESFET amplifiers with on-chip DC-blocking and bias networks which were fabricated from both VPE and MBE materials, are reported. The low-noise designs resulted in a single-stage MMIC, low-noise amplifier achieving a 6.5-dB noise figure and a 4.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::080e484fbab16d20af38b1dcf9ed235b
https://doi.org/10.1109/22.17441
https://doi.org/10.1109/22.17441
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.