Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"F.R. Bardsley"'
Autor:
M.Y. Kao, D.P. Smith, F.R. Bardsley, J.J. Komiak, R.S. Brozovich, L.W. Yang, D.R. Helms, D.E. Houston, Karen J. Nordheden
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE GaAs IC Symposium.
A straightforward HBT MMIC process technology based on an emitter-to-base realigned approach and single-step thick emitter metallization technique has produced highly linear efficient HBTs and power MMICs with high yields. The power transistor cell a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7202096ae4d5825c5911e29cd61061cd
https://doi.org/10.1109/gaas.1994.636947
https://doi.org/10.1109/gaas.1994.636947
Publikováno v:
31st Annual Proceedings Reliability Physics 1993.
The results of an extensive life test program of state-of-the-art InP HEMTs with 0.1- mu m gate lengths are presented. High-temperature DC life tests revealed at least two degradational and one catastrophic failure mode. A decrease in g/sub m/ was ob
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3812c6b506a597a928da8573dfa4cb2e
https://doi.org/10.1109/relphy.1993.283274
https://doi.org/10.1109/relphy.1993.283274
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.