Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"F.L. Gouin"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:297-304
Photoconductive GaAs devices made from a low-doped epitaxial layer on a semi-insulating substrate show transients in their dark-current DC characteristics that persist for up to approximately 2000 s. The authors studied these transients for a range o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bd0581781967312e56d9f8efda0a2adc
https://doi.org/10.1109/16.121686
https://doi.org/10.1109/16.121686
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.