Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"F.K. Chai"'
Publikováno v:
IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, 2006.
Inductors have been proven to be an effective on-chip passive element in UWB receiver applications to simultaneously achieve noise and impedance matching. However, the conventional approach of optimizing on-chip inductor quality Q factor for low-GHz
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::39175d987691cfb12d24a2459a8eb842
https://doi.org/10.1109/rfic.2006.1651190
https://doi.org/10.1109/rfic.2006.1651190
Autor:
Ralf Reuter, S. Wipf, H. Rueda, F.K. Chai, J. White, J.P. John, J. Teplik, T. Keller, D. Morgan, D. Zupac, J. Kirchgessner
Publikováno v:
Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
The performance enhancement of a SiGe:C HBT for RF/IF applications is described for Motorola's 0.35 /spl mu/m and 0.18 /spl mu/m BiCMOS technologies. Cutoff frequencies (f/sub T/) have been improved from 50 GHz to 78/84 GHz (0.35/0.18 /spl mu/m BiCMO
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5dffa29a140260c6ad757e09d1ea55bc
https://doi.org/10.1109/bipol.2002.1042916
https://doi.org/10.1109/bipol.2002.1042916
Autor:
C. Lesher, H. Rueda, M. Ting, Matthew W. Menner, W.M. Huang, D. Hammock, F.K. Chai, R. Cross, M. Griswold, C. Small, A. Duvallet, S. Bigelow, B. Gardner, T. Zirkle, S. Stewart, A. Irudayam, J. Heddleson, I. To, J. McGinley, S. Hildreth, T. Meixner, D. Morgan, P. Dahl, J. Kirchgessner, Pamela J. Welch, P. Meng, D. Monk
Publikováno v:
Proceedings of the 2001 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.01CH37212).
A fully modular 0.18 /spl mu/m SiGe:C RFBiCMOS technology is described which has been developed for wireless and gigabit optical communication applications. This technology is based upon a 0.18 /spl mu/m low-power CMOS platform with dual gate oxide M
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f4863b465f29eda24ba70f4f36f7da3d
https://doi.org/10.1109/bipol.2001.957879
https://doi.org/10.1109/bipol.2001.957879
Autor:
G. Grynkewich, F.K. Chai, C. Ramiah, R. Braithwaite, C. Kyono, D. Morgan, S. Bigelow, D. Zupac, S. Hildreth, M. Kaneshiro, P. Dahl, V. Ilderem
Publikováno v:
Proceedings of the 2000 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.00CH37124).
A cost-effective 0.25 /spl mu/m L/sub eff/ graded-channel BiCMOS technology is reported. GCMOS devices offer superior transconductance and short-channel effects to transistors with conventional laterally uniform channel doping. A complete suite of ac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::98ef4e5128a46ec07b704e225d744b9c
https://doi.org/10.1109/bipol.2000.886185
https://doi.org/10.1109/bipol.2000.886185
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.