Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"F.J. Beisswanger"'
Autor:
U. Erben, F.J. Beisswanger, J.-F. Luy, S. Bruce, M. Willander, Anders Rydberg, H. Schumacher, Magnus Karlsteen, M. Kim
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 46:695-700
In this paper, the design of an active millimeter-wave frequency doubler using an Si/SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) as the active device is studied. Simulations are made using a developed physics-based large-signal model for Si/SiGe HBT
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 45:2503-2508
A new large-signal model for SiGe heterostructure bipolar transistors (HBTs) is presented that includes nonideal leakage currents, Kirk-effect, and thermal behavior. The parameters are extracted from S-parameter measurements using a special procedure
Autor:
H. Jorke, F.J. Beisswanger
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 43:62-69
In silicon npn bipolar junction transistors grown on (100) oriented substrate, at base doping levels in excess of 10/sup 20/ boron atoms/cm/sup 3/, strain induced splitting of the normally sixfold degenerated conduction band minimum becomes important
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.