Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"F.C. Maier"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F.C. Maier, Markus Hülsbeck, Stefan Haas, Wolfhard Beyer, Uwe Breuer, U. Zastrow, C. Maurer, Uwe Rau
Publikováno v:
Thin Solid Films. 653:223-228
The hydrogen concentration in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), produced by plasma-enhanced chemical vapor deposition, was measured by Raman and Fourier transform infrared spectroscopy before and after thermal annealing. The possibility of Ram
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::714b18b9c5f23911e8ebccc1b929d378
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.02.037
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.02.037
Autor:
W. Beyer, U. Breuer, R. Carius, W. Hilgers, D. Lennartz, F.C. Maier, N.H. Nickel, F. Pennartz, P. Prunici, U. Zastrow
Publikováno v:
Canadian Journal of Physics. 92:700-704
The influence of implanted hydrogen (up to a concentration level of 3 at. %) on the microstructure of silicon (Si) materials is investigated by Fourier transform infrared spectroscopy as well as by effusion of hydrogen and of (low dose) implanted hel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c79b53fd07b751aee3910c7664b4044
https://doi.org/10.1139/cjp-2013-0555
https://doi.org/10.1139/cjp-2013-0555
Publikováno v:
MRS Proceedings. 1536:175-180
An important property of thin film silicon and related materials is the microstructure which may involve the presence of interconnected and isolated voids. We report on effusion measurements of implanted helium (He) to detect such voids. Several seri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b1e04ff87b76843502e4e3fc20048d75
https://doi.org/10.1557/opl.2013.746
https://doi.org/10.1557/opl.2013.746
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W. Hilgers, D. Lennartz, F.C. Maier, Norbert H. Nickel, P. Prunici, Wolfhard Beyer, Frank Pennartz
Publikováno v:
MRS Proceedings. 1666
Laser heating and annealing of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films is of interest for improved material properties. Due to the variety of possible laser treatments with regard to wavelength, pulse duration, scan time etc., the definition of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c2f5b4c83d845b354b9bdf41909f3f5e
https://doi.org/10.1557/opl.2014.667
https://doi.org/10.1557/opl.2014.667
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.