Zobrazeno 1 - 10 of 59 pro vyhledávání: '"F.C. Beyer"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
A carbon-doping related luminescence band in GaN revealed by below bandgap excitation
Autor: Markus Weyers, Klaus Irmscher, G. Gärtner, Jan Beyer, Johannes Heitmann, F.C. Beyer, Ivan Gamov, Eberhard Richter, F. Zimmermann
Carbon doped GaN grown by hydride vapor phase epitaxy was investigated by photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy covering a broad range of carbon concentrations. Above bandgap excitation reveals typical transitions related to
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1287fdf4f0a80af9d63b24f88bec9004
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/270258
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Origin of orange color in nominally undoped HVPE GaN crystals
Autor: Patrick Hofmann, Thomas Mikolajick, Gunnar Leibiger, Christian Röder, Nguyen Tien Son, D. Veselá, Johannes Heitmann, F. Zimmermann, Erik Janzén, J. Lorinčík, Martin Krupinski, Frank Habel, G. Gärtner, F.C. Beyer
Publikováno v: Optical Materials. 70:127-130
In this article we investigated unintentionally doped (UID) GaN grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) with respect to point defects and impurity concentration. The samples were orange tinted to different extent. Optical analysis was performed b
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::35af093931ecf9d4515e4b442d5d1d9a
https://doi.org/10.1016/j.optmat.2017.05.020
Zobrazit plný text záznamu
5
Green coloring of GaN single crystals introduced by Cr impurity
Autor: M. Barchuk, Patrick Hofmann, Johannes Heitmann, Christian Röder, G. Gärtner, F. Zimmermann, D. Bastin, Martin Krupinski, H. Sträter, Thomas Mikolajick, F.C. Beyer
In this study unintentionally doped GaN grown by hydride vapor phase epitaxy that exhibits a sharply delimited region of green color was investigated. Optical analysis was performed by absorption and photoluminescence spectroscopy. An absorption band
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e0956cd27968bef40efd82abd859a317
https://tud.qucosa.de/id/qucosa:81232
Zobrazit plný text záznamu
7
Tri-carbon defects in carbon doped GaN
Autor: G. Gärtner, F. Zimmermann, F.C. Beyer, Markus Weyers, Ivan Gamov, Klaus Irmscher, Günther Tränkle, Eberhard Richter, Ewelina Nowak
Publikováno v: Applied Physics Letters. 113:262101
Carbon doped GaN crystals grown by hydride vapor phase epitaxy have been investigated using mid-infrared and near-ultraviolet absorption spectroscopy. Two local vibrational modes (LVMs) at 1679 cm−1 and 1718 cm−1 as well as an absorption shoulder
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9d61e4e1f1f2d37bede638991e4f4a20
https://doi.org/10.1063/1.5064432
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Silicon doping of HVPE GaN bulk-crystals avoiding tensile strain generation
Autor: Frank Habel, Gunnar Leibiger, Christian Röder, Stefan Eichler, F.C. Beyer, Patrick Hofmann, G. Gärtner, Thomas Mikolajick
Publikováno v: Journal of Physics D: Applied Physics. 49:075502
Doped GaN:Si crystals were grown in a commercially available vertical HVPE reactor. The templates used for the HVPE heteroepitaxy were so-called FACELO seeds, with a starting GaN layer thickness of 3–4 μm. The FWHM of the 0002 and the reflection o
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f1a5743b32822af20a4d67ef93de72b8
https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/7/075502
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje