Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"F.C-P. Massabuau"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tongtong Zhu, Peter Griffin, Rachel A. Oliver, F.C-P. Massabuau, Helen Springbett, Giorgio Divitini
Transmission electron microscopy (TEM) is a central technique for the characterisation of materials at the atomic scale. However, it requires the sample to be thin enough to be electron transparent, imposing strict limitations when studying thick str
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3de6f7793ffc9d8afb54fb7e0e916b42
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/307014
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/307014
Publikováno v:
Ultramicroscopy. 231:113255
Directly correlated measurements of the surface morphology, light emission and subsurface structure and composition were carried out on the exact same nanoscale trench defects in InGaN quantum well (QW) structures. Multiple scanning probe, scanning e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::23ced6dc64b72f7375f9bb8763c268ad
https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2021.113255
https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2021.113255
Autor:
Paul A. Midgley, John Jarman, Paul R. Chalker, F.C-P. Massabuau, Rachel A. Oliver, Duncan N. Johnstone, J.W. Roberts
Publikováno v:
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
α-Ga2O3 is a metastable phase of Ga2O3 of interest for wide bandgap engineering since it is isostructural with α-In2O3 and α-Al2O3. α-Ga2O3 is generally synthesised under high pressure (several GPa) or relatively high temperature (∼500 °C). In
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::edcaadffbe0320dfa6b60c1cb1558906
http://livrepository.liverpool.ac.uk/3076041/1/Roberts_etal_JCG_2018_low_temperature_atomic_layer_deposition_on_sapphire.pdf
http://livrepository.liverpool.ac.uk/3076041/1/Roberts_etal_JCG_2018_low_temperature_atomic_layer_deposition_on_sapphire.pdf
Autor:
Menno J. Kappers, Peiyu Chen, Matthew Horton, F.C-P. Massabuau, Sneha Rhode, T. J. O'Hanlon, Rafal E. Dunin-Borkowski, Christopher X. Ren, Rachel A. Oliver, András Kovács, Colin J. Humphreys
We present a multi-microscopy study of dislocations in InGaN, whereby the same threading dislocation was observed under several microscopes (atomic force microscopy, scanning electron microscopy, cathodoluminescence imaging and spectroscopy, transmis
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f84e0b674139f50a177dedaa54d8d0b9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fabrice Oehler, Ej Thrush, L. Trinh-Xuan, Rachel A. Oliver, Colin J. Humphreys, Sneha Rhode, S.-L. Sahonta, D. Lodié, Menno J. Kappers, F.C-P. Massabuau
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 471:012042
Trench defects are a commonly occurring feature in InGaN/GaN quantum well (QW) structures. This defect appears at the surface of a structure as a trench enclosing a region of material with peculiar emission properties. Transmission electron microscop
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a49de9e018b05d5c5e16d136b2658f39
https://doi.org/10.1088/1742-6596/471/1/012042
https://doi.org/10.1088/1742-6596/471/1/012042