Zobrazeno 1 - 10
of 68
pro vyhledávání: '"F.A. d'Avitaya"'
Publikováno v:
Applied Surface Science. 252:4167-4170
Auger electron spectroscopy (AES) and low energy electron diffraction (LEED) were used to study the first steps of growth and oxidation of aluminum on Ag(1 1 1) substrate. We find that the growth of aluminum at room temperature (RT) shows the formati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::01e1aff4789d70fbaa16546fb89a98ed
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.06.024
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.06.024
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 8:41-46
Structural and optical characterizations via reflection high-energy electron diffraction, atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy have been combined to investigate the kinetic formation of self-assembled Ge/Si hut clusters grown by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eb3bafb87ca5f27b3c7dad8e72cbbbf5
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.029
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.029
Autor:
Daniel Bouchier, F.A. d’Avitaya, J. Derrien, Vy Yam, V. Le Thanh, T.K. Nguyen-Duc, Philippe Boucaud, Lam H. Nguyen
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 275:e1287-e1294
Structural and optical characterizations via reflection high-energy electron diffraction and atomic force microscopy have been combined to investigate the kinetic formation of self-assembled Ge/Si hut clusters grown at a substrate temperature of 525
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ddd7457b4906ba4c7c70f9b78a0b474
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.123
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.123
Publikováno v:
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 23:471-475
Single and stacked layers of Ge/Si quantum dots were grown in SiO2 windows patterned by electron-beam lithography on oxidized Si (0 0 1) substrates. The growth of a silicon buffer layer prior to Ge deposition is found to be an additional parameter fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::86fd0e5850cd09abe5490be621139034
https://doi.org/10.1016/j.physe.2004.02.009
https://doi.org/10.1016/j.physe.2004.02.009
Autor:
Wang Qingping, Li Kaicheng, Huang Yan, Sun Weifeng, F.A. d'Avitaya, Xiangdong Wu, Zhang Jing, Wen Yao, Guo Lin
Publikováno v:
1998 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Proceedings (Cat. No.98EX105).
The reactive ion etching (RIE) of Si/sub 1-x/Ge/sub x/ alloy with hydrogen bromide is described. The technologies of producing Si/sub 1-x/Ge/sub x/ devices are compatible with those of producing silicon devices, which is the major reason why Si/sub 1
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9cfa21c20f0c847e4731b0eb61029ec3
https://doi.org/10.1109/icsict.1998.786146
https://doi.org/10.1109/icsict.1998.786146
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.