Zobrazeno 1 - 10
of 167
pro vyhledávání: '"F.A. Stevie"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ji-Soo Park, C.L. Reynolds, F.A. Stevie, S.M. Bishop, C.W. Ebert, Y. Uprety, Robert F. Davis, Zuzanna Liliental-Weber
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 311:72-78
Homoepitaxial growths of 4H-SiC(1 1 2¯ 0) epitaxial layers have been achieved using chemical vapor deposition from 1250 to 1600 °C and two process routes: (1) with and (2) without the addition of SiH4 and C2H4 to the growth ambient. An activation e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d11e683df7560b3ef44c5ecb8a887498
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.09.200
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.09.200
Publikováno v:
Surface and Coatings Technology. 51:358-363
More than 50 elements from hydrogen to uranium were implanted into beryllium, aluminum, titanium, nickel, tungsten and gold at energies up to 0.6 MeV and at fluences from 3 × 1013 to 5 × 1015 cm-2 to create standards appropriate for depth profiling
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::056fb65a42692a9a0da894445a257de5
https://doi.org/10.1016/0257-8972(92)90264-b
https://doi.org/10.1016/0257-8972(92)90264-b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F.A. Stevie, C.B. Vartuli
Publikováno v:
Proceedings of the 9th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (Cat. No.02TH8614).
Device fabrication with reduced linewidths makes it possible for smaller defects to affect device performance. The availability of 5-7 nm diameter focused ion beams has made it possible to expose most defects of interest for analysis using EDS or AES
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::81c83117b3ce59454f5656844e638fce
https://doi.org/10.1109/ipfa.2002.1025637
https://doi.org/10.1109/ipfa.2002.1025637
Autor:
M.S. Carroll, F.A. Stevie, P.A. Layman, A. Chen, C.S. Rafferty, S. Chaudhry, Y.F. Chyan, H.-H. Vuong, J.L. Lee, W.J. Nagy
Publikováno v:
SISPAD '97. 1997 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices. Technical Digest.
A computationally efficient technique to extract the diffused profiles and collector resistances of bipolar transistors formed via high energy implantation in a BiCMOS process is developed. The methodology uses two dimensional process and device simu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::712dbb8d95244e0d67b12cb24a7a79f4
https://doi.org/10.1109/sispad.1997.621386
https://doi.org/10.1109/sispad.1997.621386
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.
Semi-insulating InP wafers for electronic and opto-electronic devices must have spatially uniform resistivities (above 1E7 Omega -cm) for high-yield manufacture. Spatially resolved photoluminescence scans have revealed localized regions of high lumin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8d7cf88ccea5d245784a18249f899980
https://doi.org/10.1109/iciprm.1990.203068
https://doi.org/10.1109/iciprm.1990.203068
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.