Zobrazeno 1 - 10
of 134
pro vyhledávání: '"F.-C. Hsieh"'
Autor:
J.-F. Wang, H. Liang, C. W. Liu, K.-Y. Hsiang, Tuo-Hung Hou, S.-H. Chiang, Z.-F. Lou, S.-H. Chang, Chun-Yu Lin, Min-Hung Lee, F.-C. Hsieh, C.-Y. Liao, J.-H. Liu
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 42:1464-1467
The bilayer-based Antiferroelectric Tunneling Junction (AFTJ) with ferroelectric (FE) HfZrO2 (HZO) and dielectric (DE) Al2O3 demonstrates a current ratio of $> 100\times $ , a TER (tunneling electroresistance) of $> 50\times $ , multilevel states, $>
Autor:
C.-Y. Liao, K.-Y. Hsiang, Z. -F. Lou, H.-C. Tseng, C.-Y. Lin, Z.-X. Li, F.-C. Hsieh, C.-C. Wang, F.-S. Chang, W.-C. Ray, Y.-Y. Tseng, S. T. Chang, T.-C. Chen, M. H. Lee
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Autor:
K.-T. Chen, C.-Y. Liao, S.-H. Chiang, H. Liang, Shun-Ping Chang, J.-H. Liu, F.-C. Hsieh, S.-H. Chang, Min-Hung Lee, K.-Y. Hsiang
Publikováno v:
Journal of Computational Electronics. 20:1209-1215
The voltage amplification of a ferroelectric layer was studied for advanced complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) applications. To match the capacitance for negative-capacitance field-effect transistors (NC-FETs), a method of adjusting t
Autor:
K.-Y. Hsiang, T.-C. Chen, C.-Y. Liao, Chun-Yu Lin, F.-C. Hsieh, J.-H. Liu, C.-F. Lou, S.-H. Chiang, Chang-Yun Chang, S.-H. Chang, Min-Hung Lee
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 42:617-620
A double-HZO (HfZrO2) FeFET (ferroelectric FET) with nonidentical ferroelectric thicknesses is experimentally demonstrated with as low as $\vert {V}_{P/{E}}\vert = {5}$ V, 2-bit endurance > 105 cycles and retention > 104 s. Inserting an insulator to
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S.-H. Chang, Min-Hung Lee, S.-H. Chiang, Ming-Han Liao, C.-Y. Wang, Chun-Ming Chang, H.-Y. Yang, Yu-De Lin, Y.-Y. Lin, Y.-Y. Tseng, K.-T. Chen, P.-C. Yeh, P.-J. Tzeng, J.-H. Liu, C. Lo, G.-Y. Siang, H. Liang, C.-Y. Chueh, Yao-Joe Yang, Y.-J. Tseng, Shun-Ping Chang, F.-C. Hsieh
Publikováno v:
IRPS
The 3D double layer Ω-type FETs with ferroelectric HfZrO 2 gate served for one-transistor (1T) architecture is demonstrated and studied for memory reliability. The high endurance is presented more than 106 cycles P/E with 4V. Multi-domain model inte
Autor:
Chun-Yen Chang, Y.-Y. Lin, C.-Y. Chueh, Chee-Wee Liu, Y.-J. Tseng, F.-C. Hsieh, Min-Hung Lee, K.-T. Chen, Shun-Ping Chang, K.-S. Li, Ming-Han Liao, C.-Y. Liao, H.-Y. Chen, C. Lo, Yao-Joe Yang, G.-Y. Siang
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Being the first demonstration of quasi-antiferroelertic Hf 1-x Zr x O 2 (QAFE-HZO, Zr=75%) negative-capacitance (NC) FET with non-hysteretic bi-directional sub-60mV/dec (SS for =51mV/dec, SS rev =53mV/dec, ΔV T FE overlap of negative dQ/dV FE for fo
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.