Zobrazeno 1 - 10
of 101
pro vyhledávání: '"F. Weik"'
Publikováno v:
Proceedings of 12th World Congress on Genetics Applied to Livestock Production (WCGALP).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chemical Physics Letters. 342:1-6
The temperature (T) dependence of the Cl− yield in the electron-stimulated desorption (ESD) of a submonolayer of CF2Cl2 adsorbed on amorphous H2O ice grown at 25 K exhibits a peak between 50 and 70 K. This peak and a sharp drop in electron-trapping
Autor:
F Weik, Léon Sanche
Publikováno v:
International Journal of Mass Spectrometry. 205:299-307
If Benzene molecules adsorbed onto or embedded within rare gas solid films are bombarded with low-energy electrons below 2 eV, charge localization is detected. The maximal cross section for electron trapping by Benzene adsorbed in submonolayers on a
Publikováno v:
The Journal of Chemical Physics. 99:682-694
The photochemistry of O2 adsorbed on Pd(111) has been studied as a function of the energy of the exciting photons in the range of hν=3.9–6.4 eV. The obtained data are reproduced by a proposed kinetic model considering photostimulated desorption an
Publikováno v:
Surface Science. :235-246
The dynamics of the UV-photochemistry of molecularly adsorbed oxygen on Pd(111) has been studied using pulsed laser light between 3.9 and 6.4 eV photon energy. Photodissociation to form atomic surface oxygen and photodesorption of O2 are the primary
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
We report on novel evaluation methodology of high-power diode lasers that potentially will increase the reliability level of these devices. The study is carried out for wide-stripe, 808 nm diode lasers with low fast-axis beam divergence that base on
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.