Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"F. Vojdani"'
Autor:
F. Vojdani
Publikováno v:
Water Supply. 4:67-80
Water is a primary factor in sustainable development; it may also be considered the most important component of economic and political power in contemporary world. Countries like Iran, which are located in arid and semi-arid regions of the world, sin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bad1fab805d39bc18865dfb57d06d966
https://doi.org/10.2166/ws.2004.0044
https://doi.org/10.2166/ws.2004.0044
Publikováno v:
IEEE Transactions on Power Systems. 11:41-51
This paper is based on the material presented at the IEEE 1994 Winter Power Meeting Panel on Transmission Access issues, sponsored by IEEE task force on transmission access. The paper contains short notes by four panelists on transmission access: (1)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e8ec1913ae2379ec74f9bbc7cff31fc0
https://doi.org/10.1109/59.485979
https://doi.org/10.1109/59.485979
Publikováno v:
IEEE Transactions on Power Electronics. 9:514-521
Anode-shorted GTO thyristor samples were investigated by means of the free-carrier absorption (FCA) technique. Both the turn-on and turn-off processes were investigated as regards the two-dimensional carrier distribution for different stages of the t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c1a8d5e50d34363ab7beb8a45e619c4c
https://doi.org/10.1109/63.321037
https://doi.org/10.1109/63.321037
Publikováno v:
Technical Digest., International Electron Devices Meeting.
A surveillance instrument has been developed for the measurement of the excess-carrier distribution in GTO (gate turn-off thyristor) samples at all stages of operation. The instrument, an optical scanner, allows the visualization of the measurements
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1b5f5321f8fb7c9a2a73824b52e366f3
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32889
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32889
Publikováno v:
Proceedings of the 6th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics.
This paper discusses the importance of reliable physical models/parameters used in drift-diffusion device simulation of power devices. Simple devices, diodes, and considerably more complicated structures, Gate Turn-Off thyristors (GTO:s) have been in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f1451bc008fea08df8a1ac8409d6b3d
https://doi.org/10.1109/ispsd.1994.583742
https://doi.org/10.1109/ispsd.1994.583742
Autor:
F. Vojdani
Publikováno v:
Methods of Testing Protein Functionality ISBN: 9781461285175
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4cd1fadcc9b26d24aa8163e33fddaa07
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1219-2_2
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1219-2_2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.