Zobrazeno 1 - 10
of 171
pro vyhledávání: '"F. S. CHANG"'
Autor:
K.-Y. Hsiang, J.-Y. Lee, Z.-F. Lou, F.-S. Chang, Y.-C. Chen, Z.-X. Li, M. H. Liao, C. W. Liu, T.-H. Hou, P. Su, M. H. Lee
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 70:2142-2146
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab99eab5aad76f851d2ad5b8c86ab5b7
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3238364
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3238364
Autor:
K.-Y. Hsiang, C.-Y. Liao, J.-H. Liu, C.-Y. Lin, J.-Y. Lee, Z.-F. Lou, F.-S. Chang, W.-C. Ray, Z.-X. Li, H.-C. Tseng, C.-C. Wang, M. H. Liao, T.-H. Hou, M. H. Lee
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 43:1850-1853
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32d769bfc4175956bb62112231794890
https://doi.org/10.1109/led.2022.3204445
https://doi.org/10.1109/led.2022.3204445
Autor:
C.-Y. Liao, K.-Y. Hsiang, C.-Y. Lin, Z.-F. Lou, Z.-X. Li, H.-C. Tseng, F.-S. Chang, W.-C. Ray, C.-C. Wang, J.-Y. Lee, P.-H. Chen, J.-H. Tsai, M.-H. Liao, M. H. Lee
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 43:1559-1562
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87b4dce0e41ef0845693386b47b5f4ec
https://doi.org/10.1109/led.2022.3189669
https://doi.org/10.1109/led.2022.3189669
Autor:
K.-Y. Hsiang, J.-Y. Lee, Z.-F. Lou, F.-S. Chang, Z.-X. Li, C. W. Liu, T.-H. Hou, P. Su, M. H. Lee
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf9097f3ee3223f37b0a39669ac2f85b
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118311
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118311
Autor:
C.-Y. Liao, Z.-F. Lou, C.-Y. Lin, A. Senapati, R. Karmakar, K.-Y. Hsiang, Z.-X. Li, W.-C. Ray, J.-Y. Lee, P.-H. Chen, F.-S. Chang, H.-H. Tseng, C.-C. Wang, J.-H. Tsai, Y.-T. Tang, S. T. Chang, C. W. Liu, S. Maikap, M. H. Lee
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be3c530164e803c858261cdfda6720c8
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019369
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019369
Autor:
C.-Y. Liao, K.-Y. Hsiang, Z. -F. Lou, H.-C. Tseng, C.-Y. Lin, Z.-X. Li, F.-C. Hsieh, C.-C. Wang, F.-S. Chang, W.-C. Ray, Y.-Y. Tseng, S. T. Chang, T.-C. Chen, M. H. Lee
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::72d2e521ff8200f37f909f34855b04e8
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830345
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830345
Autor:
K.-Y. Hsiang, C.-Y. Liao, Y.-Y. Lin, Z.-F. Lou, C.-Y. Lin, J.-Y. Lee, F.-S. Chang, Z.-X. Li, H.-C. Tseng, C.-C. Wang, W.-C. Ray, T.-H. Hou, T.-C. Chen, C.-S. Chang, M. H. Lee
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::31a24930702f8ee148f8e2d0083f4de5
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764533
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764533
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.