Zobrazeno 1 - 10
of 169
pro vyhledávání: '"F. Rochet"'
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-12 (2017)
Abstract Despite thermal silicon oxide desorption is a basic operation in semiconductor nanotechnology, its detailed chemical analysis has not been yet realized via time-resolved photoemission. Using an advanced acquisition system and synchrotron rad
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2530f0b9f74b41bfa83d92b439bca64a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G. A. M. Sáfar, F. Rochet, J. M. C. Vilela, A. G. de Oliveira, M.S. Andrade, Bernardo R. A. Neves, Wagner N. Rodrigues, M. V. B. Moreira
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. :1172-1175
InAs nanocrystals were grown by MBE on GaAs(1 0 0) with Te coverage ( θ Te ) ranging from zero to 0.45 monolayers (ML). The height, radius and surface density of these nanocrystals (nominal InAs coverage varying from 1.8 to 4.5 ML) were measured by