Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"F. Preuninger"'
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 18:495-498
A simple two-terminal cyclic current-voltage (I-V) measuring approach is used to monitor damage in gate definition plasma etching of poly-Si gate 70 /spl Aring/ oxide MOS structures. This new technique is used to identify the presence of trapping and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6adbbc8dbe646e854c3b7e9013534e75
https://doi.org/10.1109/55.624931
https://doi.org/10.1109/55.624931
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 17:388-390
Gate leakage current densities on the order of nA//spl mu/m/sup 2/ at operating voltage levels have been observed in MOSFET's that were processed in a high-density plasma (HDP) oxide etch tool, yet these transistors have performance parameters that a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::516faa9ad7c8f42de5aa07e31a8265e6
https://doi.org/10.1109/55.511584
https://doi.org/10.1109/55.511584
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 68:1690-1692
We report a new type of damage, referred to here as inductive damage, induced by metal 1 plasma etching. The devices used in this study are lightly doped drain n‐channel metal–oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) fabricated on 2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9bc3df3b5d1fa157e94a03ef46b41748
https://doi.org/10.1063/1.115907
https://doi.org/10.1063/1.115907
Publikováno v:
1995 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications. Proceedings of Technical Papers.
Plasma interaction with the silicon wafer during device processing produces serious damage which can affect device performance and reliability. In plasma-induced damage investigations, two different types of damage, one which is uniform over the gate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::24f3557e60c3427e2892112236827214
https://doi.org/10.1109/vtsa.1995.524633
https://doi.org/10.1109/vtsa.1995.524633
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.