Zobrazeno 1 - 10
of 90
pro vyhledávání: '"F. Podevin"'
Publikováno v:
IET Microwaves, Antennas & Propagation, Vol 15, Iss 15, Pp 1960-1966 (2021)
Abstract A switched‐line substrate integrated waveguide 1‐bit phase shifter is designed and measured at 28 GHz. Reconfigurability is achieved through a set of floating metallized vias whose connection to the waveguide top and bottom layers can be
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0d14062276644967bba2a6616e695446
Publikováno v:
J3eA. 21:1001
Il s’agit de former des étudiants de Master 2 et des ingénieurs en formation continue à la mesure RF sous pointes pour caractériser des capacités Métal-Isolant-Métal (MIM) intégrées sur un wafer. La problématique est d’obtenir le modèl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f85ce3b8342f51f604332c864513ce95
https://doi.org/10.1051/j3ea/20221001
https://doi.org/10.1051/j3ea/20221001
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 89:6247-6252
Quantum calculations of the current–voltage characteristics of metal/wide-gap/narrow-gap semiconductor heterostructures have been performed in order to analyze the pure tunneling and thermally assisted current contributions. The InAlAs/InGaAs mater
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a14cbdcd070ae6f2df845ff028a48e2
https://doi.org/10.1063/1.1359756
https://doi.org/10.1063/1.1359756