Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"F. Payet"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 47:3384-3389
In this work, we show how to use the model for assessment of CMOS technology and roadmaps (MASTAR) in order to generate ready-to-use simple pre-simulation program with integrated circuit emphasis (pre-SPICE) data. Calibration of MASTAR on silicon dat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::04dd928f1ca0bf495449f0211bdc1d6c
https://doi.org/10.1143/jjap.47.3384
https://doi.org/10.1143/jjap.47.3384
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 55:1050-1057
Nowadays, process-induced stress is the preferential industrial method to enhance circuit performances. One of the most popular techniques is the strain induced by contact etch-stop layer. This technology induces a drain-current enhancement which dep
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7cf06cd8f0a37ddb1f985f1fe7410001
https://doi.org/10.1109/ted.2008.917542
https://doi.org/10.1109/ted.2008.917542
Autor:
R. Ferrant, M. Szczap, E. Perea, H. Mingam, C. Gallon, M. Sellier, F. Buf, Franck Arnaud, A. Pouydebasque, Alexis Farcy, Jean-Pierre Schoellkopf, A. Cathignol, Stephane Monfray, Thomas Skotnicki, Sylvain Clerc, F. Payet, Claire Fenouillet-Beranger
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 55:96-130
The paradigm and the usage of CMOS are changing, and so are the requirements at all levels, from transistor to an entire CMOS system. The traditional drivers, such as speed and density of integration, are subject to other prerogatives related to vari
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b7ecea46c57437f0e51336a00044a55f
https://doi.org/10.1109/ted.2007.911338
https://doi.org/10.1109/ted.2007.911338
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 95:713-717
Hole phonon velocity in a strained Si inversion layer grown on a relaxed SiGe substrate has been theoretically investigated. We used: (i) a 20 band k.p Hamiltonian method for the valence-band structure calculation, (ii) a self-consistent Schrodinger
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ca8dfd459330258b099efda4f60d4e19
https://doi.org/10.1063/1.1633346
https://doi.org/10.1063/1.1633346
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. E. B. Cowern, Chihak Ahn, Clement Tavernier, F. Payet, Dmitri Matveev, P. F. Fazzini, A. Pakfar, Nikolas Zographos, Nick Bennett, Filadelfo Cristiano, J.C. Yoon, El Mehdi Bazizi, Thomas Skotnicki, Christoph Zechner
Publikováno v:
2010 International Electron Devices Meeting.
Integrated process and device simulations were used to predict sub-45nm Strained-Si/Si 0.8 Ge 0.2 device performance. Physically-based process models, generalized from Si to strained-Si and SiGe, describe dopant implantation and diffusion, including
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::17227167ef20dfb6c2a4bebdc7ef34eb
https://doi.org/10.1109/iedm.2010.5703365
https://doi.org/10.1109/iedm.2010.5703365
Autor:
G. Bidal, F. Boeuf, F. Payet, S. Denorme, N. Loubet, P. Perreau, C. Mezzomo, M. Marin, D. Fleury, C. Leyris, F. Leverd, P. Gouraud, C. Laviron, R. Beneyton, A. Torres, B. Imbert, D. Delille, L. Clement, G. Ghibaudo, T. Skotnicki
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f5d45d80d40992e16f69ef038f82a54f
https://doi.org/10.7567/ssdm.2008.a-7-1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2008.a-7-1