Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"F. Moogat"'
Autor:
Hong Ding, T. Pham, Takahiro Shimizu, Junji Musha, H. Nasu, T. Ogawa, Naoki Kobayashi, Toshiki Hisada, N. Ookuma, Noboru Shibata, G. Hemink, M. Sato, Toshifumi Hashimoto, S. Sakai, K. Kanazawa, Masahiro Yoshihara, Yosuke Kato, Yasuyuki Kajitani, Tomofumi Fujimura, Kazushige Kanda, Tomohiro Sugimoto, G. Liang, Y. Matsumoto, Katsuaki Isobe, K. Iwasa, T. Kobayashi, J. Nakai, M. Inagaki, S. Inoue, T. Ariki, Masaru Koyanagi, M. Watanabe, K. Inuzuka, Yoshinao Suzuki, Naofumi Abiko, M. Kojima, Naoaki Kanagawa, Y. Honda, Y. Utsunomiya, S. Zaitsu, Makoto Miakashi, Mitsuhiro Noguchi, M. Higashitani, D. He, F. Moogat, Hardwell Chibvongodze, Mitsuaki Honma, Teruhiko Kamei, Yuui Shimizu, Cuong Trinh, K. Ino, Michio Nakagawa, Toshihiro Suzuki, Ryuji Yamashita
Publikováno v:
ISSCC
NAND flash memory is widely used in digital cameras, USB devices, cell phones, camcorders and solid-state drives. Continuous lowering of bit cost, increasing flash-memory-die densities and improving performance have helped to expand flash markets. Re
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Shibata, K. Kanda, T. Hisada, K. Isobe, M. Sato, Y. Shimizu, T. Shimizu, T. Sugimoto, T. Kobayashi, K. Inuzuka, N. Kanagawa, Y. Kajitani, T. Ogawa, J. Nakai, K. Iwasa, M. Kojima, T. Suzuki, Y. Suzuki, S. Sakai, T. Fujimura, Y. Utsunomiya, T. Hashimoto, M. Miakashi, N. Kobayashi, M. Inagaki, Y. Matsumoto, S. Inoue, D. He, Y. Honda, J. Musha, M. Nakagawa, M. Honma, N. Abiko, M. Koyanagi, M. Yoshihara, K. Ino, M. Noguchi, T. Kamei, Y. Kato, S. Zaitsu, H. Nasu, T. Ariki, H. Chibvongodze, M. Watanabe, H. Ding, N. Ookuma, R. Yamashita, G. Liang, G. Hemink, F. Moogat, C. Trinh, M. Higashitani, T. Pham, K. Kanazawa
Publikováno v:
2012 IEEE International Solid-State Circuits Conference.
Autor:
C. Trinh, N. Shibata, T. Nakano, M. Ogawa, J. Sato, Y. Takeyama, K. Isobe, B. Le, F. Moogat, N. Mokhlesi, K. Kozakai, P. Hong, T. Kamei, K. Iwasa, J. Nakai, T. Shimizu, M. Honma, S. Sakai, T. Kawaai, S. Hoshi, J. Yuh, C. Hsu, T. Tseng, J. Li, J. Hu, M. Liu, S. Khalid, J. Chen, M. Watanabe, H. Lin, J. Yang, K. McKay, K. Nguyen, T. Pham, Y. Matsuda, K. Nakamura, K. Kanebako, S. Yoshikawa, W. Igarashi, A. Inoue, T. Takahashi, Y. Komatsu, C. Suzuki, K. Kanazawa, M. Higashitani, S. Lee, T. Murai, J. Lan, S. Huynh, M. Murin, M. Shlick, M. Lasser, R. Cernea, M. Mofidi, K. Schuegraf, K. Quader
Publikováno v:
ISSCC
Today NAND Flash memory is used for data and code storage in digital cameras, USB devices, cell phones, camcorders, and solid-state disk drives. Figure 13.6.1 shows the memory-density trend since 2003. To satisfy the market demand for lower cost per
Publikováno v:
Proceedings Seventh Annual IEEE International ASIC Conference and Exhibit.
This paper presents a hardware implementation of a /spl beta/-bit 16/spl times/16 serial/parallel multiplier (/spl beta/=2). The circuit was implemented using differential pass transistor logic (DPTL). The chip has 3000 transistors and dissipates 150
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.