Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"F. Laulagnet"'
Autor:
M.-L. Pourteau, A. Gharbi, P. Brianceau, J.-A. Dallery, F. Laulagnet, G. Rademaker, R. Tiron, H.-J. Engelmann, J. von Borany, K.-H. Heinig, M. Rommel, L. Baier
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 9, Iss , Pp 100074- (2020)
SETs (Single-Electron-Transistors) arouse growing interest for their very low energy consumption. For future industrialization, it is crucial to show a CMOS-compatible fabrication of SETs, and a key prerequisite is the patterning of sub-20 nm Si Nano
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/293532bf485e4b0bb8f502c2bf8aa57a
Autor:
A. Jannaud, Marianne Coig, J. Garrione, Mathieu Bernard, Marie-Claire Cyrille, F. Al Mamun, F. Mazen, B. Hemard, T. Magis, C. Socquet-Clerc, Gabriele Navarro, V. Meli, Guillaume Bourgeois, Emmanuel Nolot, Francois Andrieu, N. Bernier, J. P. Barnes, Eugénie Martinez, N. Castellani, C. Charpin, F. Milesi, C. Sabbione, F. Laulagnet
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, In press, ⟨10.1016/j.microrel.2021.114221⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, In press, ⟨10.1016/j.microrel.2021.114221⟩
Microelectronics Reliability, In press, ⟨10.1016/j.microrel.2021.114221⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, In press, ⟨10.1016/j.microrel.2021.114221⟩
International audience; In this paper we investigate the effect of Carbon ion implantation in Ge$_2$ Sb$_2$ Te$_5$ based Phase-Change Memory (PCM) targeting reliability improvement in 4kb memory arrays. We show how ion implantation by beam line allow
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::70e57736ecd498b80119d3cb144b5aed
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03373794
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03373794
Autor:
P. Brianceau, M. Rommel, Hans-Jürgen Engelmann, M.-L. Pourteau, J. von Borany, F. Laulagnet, Guido Rademaker, J.-A. Dallery, Ahmed Gharbi, L. Baier, Karl-Heinz Heinig, Raluca Tiron
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering
Micro and Nano Engineering, Elsevier, 2020, 9, https://doi.org/10.1016/j.mne.2020.100074. ⟨10.1016/j.mne.2020.100074⟩
Micro and Nano Engineering, 2020, 9, https://doi.org/10.1016/j.mne.2020.100074. ⟨10.1016/j.mne.2020.100074⟩
Micro and Nano Engineering 9(2020), 100074
Micro and Nano Engineering, Vol 9, Iss, Pp 100074-(2020)
Micro and Nano Engineering, Elsevier, 2020, 9, https://doi.org/10.1016/j.mne.2020.100074. ⟨10.1016/j.mne.2020.100074⟩
Micro and Nano Engineering, 2020, 9, https://doi.org/10.1016/j.mne.2020.100074. ⟨10.1016/j.mne.2020.100074⟩
Micro and Nano Engineering 9(2020), 100074
Micro and Nano Engineering, Vol 9, Iss, Pp 100074-(2020)
International audience; SETs (Single-Electron-Transistors) arouse growing interest for their very low energy consumption. For future industrialization, it is crucial to show a CMOS-compatible fabrication of SETs, and a key prerequisite is the pattern
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1ffaa0176ed92185b48dbaa77d24531d
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03409432
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03409432
Autor:
C. Socquet-Clerc, J. Sandrini, Michel Frei, Gabriele Navarro, Nicolas Bernier, Emmanuel Nolot, Lavinia Nistor, T. Magis, J. Garrione, Marie-Claire Cyrille, O. Cueto, Mathieu Bernard, Etienne Nowak, F. Fillot, F. Laulagnet, Guillaume Bourgeois, Mahendra Pakala, N. Castellani, C. Sabbione
Publikováno v:
2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW).
In this paper we present the engineering of highly Sb-rich Ge-Sb-Te phase-change materials integrated in state-of-the-art Phase-Change Memory devices in 4Kb arrays. Thanks to an innovative composition called “delta” or $\delta$ -GST, high speed p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::04fdf9f36c649c39e93bddc789e127cd
https://doi.org/10.1109/imw.2019.8739656
https://doi.org/10.1109/imw.2019.8739656
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Raluca Tiron, Hans-Jürgen Engelmann, L. Baier, Ahmed Gharbi, Guido Rademaker, Karl-Heinz Heinig, J.-A. Dallery, P. Brianceau, J. von Borany, M.-L. Pourteau, F. Laulagnet, M. Rommel
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :111336
This article has been withdrawn at the request of the author(s) and published in Micro and Nano Engineering. The Publisher apologizes for any inconvenience this may cause. The full Elsevier Policy on Article Withdrawal can be found at https://www.els
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3b43b81cdf3e25cdf2c0c3b10d835a3f
https://doi.org/10.1016/j.mee.2020.111336
https://doi.org/10.1016/j.mee.2020.111336
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.