Zobrazeno 1 - 10
of 66
pro vyhledávání: '"F. L. Hsueh"'
Publikováno v:
2011 IEEE MTT-S International Microwave Symposium.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c303df1370146586bdbabf78860a4f56
https://doi.org/10.1109/mwsym.2011.5973362
https://doi.org/10.1109/mwsym.2011.5973362
Autor:
P.S. Chou, Shou-Gwo Wuu, T.H. Hsu, K.Y. Chou, F. L. Hsueh, H.Y. Tu, Yeur-Luen Tu, Luan Tran, Tseng Chien-Hsien, Y.P. Chao, R.S. Hsiao, Chi-Chuan Wang, B.C. Hseih, Chia-Shiung Tsai, S. Takahashi, R.J. Lin
Publikováno v:
2010 International Electron Devices Meeting.
This paper presents process breakthroughs that enable a BSI 0.9µm pixel formation and its performance. The technology was developed using 300mm bulk silicon starting wafers with the state-of-the-art tool set for BSI sensor processing. This is the fi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b979265ac21d450461dca9cc8b1012d6
https://doi.org/10.1109/iedm.2010.5703358
https://doi.org/10.1109/iedm.2010.5703358
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 25:335-344
Effects of oxide isolation on the two-terminal D.C. characteristics of metal/tunnel-oxide/ n / p + silicon switching devices have been studied. Recent experimental results have shown that the switching characteristics are strongly dependent on area,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b148697fb890897572b1af19024c66b1
https://doi.org/10.1016/0038-1101(82)90117-4
https://doi.org/10.1016/0038-1101(82)90117-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.